Das 10.000fache an Schreibzyklen gegenüber heutigen Modellen sollen Flash-Speicher mit ferroelektrischen Feldeffekttransistoren (FeFETs) erreichen.

Der Chipaufbau eines FeFET (Bild: AIST)

Flash-Speicher gilt bisher als nichtflüchtiger, erschütterugsfester Speicher zum gelegentlichen Nutzen. Als Festplattenersatz mit ständigem Neubeschreiben ist Flash-Speicher nur bedingt geeignet, weil nur etwa 10.000 Schreibzyklen möglich sind, bevor die Speicherzelle “tot” ist.

Durch Controller, die immer wieder andere Speicherbereiche beschreiben lassen, kann dies hinausgezögert werden, doch ein Betriebssystem, das ständig Daten auf die Platte swappt und zwischenspeichert, kann für Flash-”Festplatten” ein echtes Problem darstellen.

Wissenschaftler des japanischen National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) und der Universität Tokio haben nun aber ferroelektrische Feldeffekttransistoren (FeFETs) als Speicherelemente entdeckt. Diese benötigen nur 6 V zum Programmieren statt der 20 V heutiger Flash-Speicher und halten 100 Millionen Schreibzyklen.

Kleinere Strukturen sollen auch möglich sein und somit größere Speicher, allerdings wohl keine längere Speicherdauer: 10 Jahre werden angegeben, das schaffen auch DVDs, aber eine Langzeitspeicherung ist das nicht.

[via pressetext.at]