Samsung hat die Speicherchip-Architektur geschrumpft und damit die Kapazität der Bausteine verdoppelt. Gleiches Vermeldet Toshiba.

Samsung gab bekannt, dass sie dank neuartiger Produktionsmethoden und weiterer Miniaturisierung der Schaltkreise auf 30 Nanometer “Grösse” auf den Speicherchips die gebotene Kapazität auf 64 Gigabit pro NAND-Einheit vergrössern konnten.

Was heisst das für uns im Klartext? Während bisher Flash-Speichereinheiten mit maximal 32 Gigabit, oder 4 Gigabyte pro Einheit, erhältlich waren, wurde dieser Wert nun verdoppelt. Dies ermöglicht es unseren Lieblings-Gadgetherstellern, doppelt so viel Kapazität auf den selben Raum zu packen.

Diese Nachricht nehmen wir mit einem lachenden und einem weinenden Auge entgegen. Auch Toshiba hat nämlich bekanntgegeben, ihre Produktionsstätten auf 30 Nanometer Schaltkreisgrösse umzustellen. So sollen innert Jahresfrist die Chips, sowie die zugehörigen Geräte erhältlich sein. Dies führt unweigerlich zu weiterer Strapazierung unserer Geldbeutel - auf der anderen Seite flimmern mit solchen Neuigkeiten bereits neue, hübsche und speicherträchtige Geräte am Horizont. Wir bleiben gespannt.

[Via Wired Blog]